ഇൻസുലേഷൻ റെസിസ്റ്റൻസ് ടെസ്റ്റർ വിവിധ ഇൻസുലേറ്റിംഗ് മെറ്റീരിയലുകളുടെ റെസിസ്റ്റൻസ് മൂല്യം അളക്കുന്നതിനും ട്രാൻസ്ഫോർമറുകൾ, മോട്ടോറുകൾ, കേബിളുകൾ, ഇലക്ട്രിക്കൽ ഉപകരണങ്ങളുടെ ഇൻസുലേഷൻ റെസിസ്റ്റൻസ് എന്നിവ അളക്കുന്നതിനും അനുയോജ്യമാണ്, ഈ ഉപകരണങ്ങൾ, ഇലക്ട്രിക്കൽ ഉപകരണങ്ങളും ലൈനുകളും സാധാരണ ഷോക്ക്, ഇലക്‌ട്രിഷ്യൻ, ഇലക്‌ട്രിക്ക് എന്നിവയിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്നുണ്ടെന്ന് ഉറപ്പാക്കാൻ. നാശം.
ഇൻസുലേഷൻ റെസിസ്റ്റൻസ് ടെസ്റ്ററിൻ്റെ പൊതുവായ പ്രശ്നങ്ങൾ ഇനിപ്പറയുന്നവയാണ്:
1. കപ്പാസിറ്റീവ് ലോഡ് റെസിസ്റ്റൻസ് അളക്കുമ്പോൾ, ഇൻസുലേഷൻ റെസിസ്റ്റൻസ് ടെസ്റ്ററിൻ്റെ ഔട്ട്പുട്ട് ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് കറൻ്റും അളന്ന ഡാറ്റയും തമ്മിലുള്ള ബന്ധം എന്താണ്, എന്തുകൊണ്ട്?
ഇൻസുലേഷൻ റെസിസ്റ്റൻസ് ടെസ്റ്ററിൻ്റെ ഔട്ട്പുട്ട് ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് കറൻ്റിൻ്റെ വലുപ്പം മെഗറിനുള്ളിലെ ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് ഉറവിടത്തിൻ്റെ ആന്തരിക പ്രതിരോധത്തിൻ്റെ വലുപ്പത്തെ പ്രതിഫലിപ്പിക്കും.
ദൈർഘ്യമേറിയ കേബിളുകൾ, കൂടുതൽ വിൻഡിംഗ് ഉള്ള മോട്ടോറുകൾ, ട്രാൻസ്ഫോർമറുകൾ എന്നിങ്ങനെയുള്ള കപ്പാസിറ്റീവ് ലോഡുകളെയാണ് പല ഇൻസുലേഷൻ ടെസ്റ്റുകളും ലക്ഷ്യമിടുന്നത്.അതിനാൽ, അളന്ന ടാർഗെറ്റിന് കപ്പാസിറ്റൻസ് ഉള്ളപ്പോൾ, ടെസ്റ്റ് പ്രക്രിയയുടെ തുടക്കത്തിൽ, ഇൻസുലേഷൻ റെസിസ്റ്റൻസ് ടെസ്റ്ററിലെ ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് ഉറവിടം കപ്പാസിറ്ററിനെ അതിൻ്റെ ആന്തരിക പ്രതിരോധത്തിലൂടെ ചാർജ് ചെയ്യുകയും ക്രമേണ വോൾട്ടേജ് അധിക ഹൈ-വോൾട്ടേജ് ഔട്ട്പുട്ടിലേക്ക് ചാർജ് ചെയ്യുകയും വേണം. ഇൻസുലേഷൻ റെസിസ്റ്റൻസ് ടെസ്റ്റർ..അളന്ന ടാർഗെറ്റിൻ്റെ കപ്പാസിറ്റൻസ് മൂല്യം വലുതാണെങ്കിൽ, അല്ലെങ്കിൽ ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് ഉറവിടത്തിൻ്റെ ആന്തരിക പ്രതിരോധം വലുതാണെങ്കിൽ, ചാർജിംഗ് പ്രക്രിയയ്ക്ക് കൂടുതൽ സമയമെടുക്കും.
R ഇന്നർ, സി ലോഡിൻ്റെ (യൂണിറ്റ്: സെക്കൻ്റ്), അതായത് T=R ഇന്നർ*സി ലോഡിൻ്റെ ഉൽപ്പന്നം ഉപയോഗിച്ച് അതിൻ്റെ ദൈർഘ്യം നിർണ്ണയിക്കാവുന്നതാണ്.
അതിനാൽ, ടെസ്റ്റ് സമയത്ത്, ടെസ്റ്റ് വോൾട്ടേജിലേക്ക് അത്തരമൊരു കപ്പാസിറ്റീവ് ലോഡ് ചാർജ് ചെയ്യേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്, കൂടാതെ ചാർജിംഗ് സ്പീഡ് DV/Dt ചാർജിംഗ് കറൻ്റ് I യുടെ ലോഡ് കപ്പാസിറ്റൻസ് C യുടെ അനുപാതത്തിന് തുല്യമാണ്. അതായത്, DV/Dt= I C.
അതിനാൽ, ചെറിയ ആന്തരിക പ്രതിരോധവും ഉയർന്ന ചാർജിംഗ് കറൻ്റും, വേഗതയേറിയ ടെസ്റ്റ് ഫലങ്ങൾ സ്ഥിരത കൈവരിക്കും.
2. രൂപഭാവത്തിൻ്റെ "ജി" വശത്തിൻ്റെ പ്രവർത്തനം എന്താണ്?ഉയർന്ന വോൾട്ടേജും ഉയർന്ന പ്രതിരോധവും ഉള്ള ടെസ്റ്റ് പരിതസ്ഥിതിയിൽ, "ജി" ടെർമിനലിനെ ബാഹ്യമായി ബന്ധിപ്പിക്കേണ്ടത് എന്തുകൊണ്ട്?
ഉപരിതലത്തിൻ്റെ "ജി" അവസാനം ഒരു ഷീൽഡിംഗ് ടെർമിനലാണ്.ഷീൽഡിംഗ് ടെർമിനലിൻ്റെ പ്രവർത്തനം അളക്കൽ ഫലങ്ങളിൽ ടെസ്റ്റ് പരിതസ്ഥിതിയിൽ ഈർപ്പം, അഴുക്ക് എന്നിവയുടെ സ്വാധീനം നീക്കം ചെയ്യുക എന്നതാണ്.എക്‌സ്‌റ്റേണൽ "ജി" ടെർമിനൽ പരിശോധിച്ച ഉൽപ്പന്നത്തിൻ്റെ ലീക്കേജ് കറൻ്റ് ബൈപാസ് ചെയ്യുന്നു, അതിനാൽ ലീക്കേജ് കറൻ്റ് ബാഹ്യ ടെസ്റ്റ് സർക്യൂട്ടിലൂടെ കടന്നുപോകില്ല, കൂടാതെ ലീക്കേജ് കറൻ്റ് മൂലമുണ്ടാകുന്ന പിശക് ഇല്ലാതാക്കുന്നു.ഉയർന്ന പ്രതിരോധം പരിശോധിക്കുമ്പോൾ G ടെർമിനൽ ഉപയോഗിക്കുന്നു.
പൊതുവായി പറഞ്ഞാൽ, G ടെർമിനൽ 10G-യേക്കാൾ ഉയർന്നതായി കണക്കാക്കാം.എന്നിരുന്നാലും, ഈ പ്രതിരോധ ശ്രേണി നിശ്ചയമില്ല.ഇത് വൃത്തിയുള്ളതും വരണ്ടതും ടെസ്റ്റ് ഒബ്‌ജക്‌റ്റിൻ്റെ വോളിയം ചെറുതും ആയിരിക്കുമ്പോൾ, G അവസാനം 500G അളക്കാതെ തന്നെ അത് സ്ഥിരത കൈവരിക്കും.ഈർപ്പമുള്ളതും വൃത്തികെട്ടതുമായ അന്തരീക്ഷത്തിൽ, കുറഞ്ഞ പ്രതിരോധ മൂല്യത്തിനും ജി എൻഡ് ആവശ്യമാണ്.പ്രത്യേകമായി, ഉയർന്ന പ്രതിരോധം അളക്കുമ്പോൾ ഫലങ്ങൾ സ്ഥിരപ്പെടുത്താൻ പ്രയാസമാണെന്ന് നിങ്ങൾ കണ്ടെത്തുകയാണെങ്കിൽ, നിങ്ങൾക്ക് G ടെർമിനൽ ഉപയോഗിക്കുന്നത് പരിഗണിക്കാം.കൂടാതെ, ഷീൽഡിംഗ് ടെർമിനൽ G ഷീൽഡിംഗ് ലെയറുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിട്ടില്ല, എന്നാൽ L-നും E-നും ഇടയിലുള്ള ഇൻസുലേറ്ററിനോടോ അല്ലെങ്കിൽ മൾട്ടി-സ്ട്രാൻഡ് വയറുകളിലോ ആണ്, ടെസ്റ്റിന് കീഴിലുള്ള മറ്റ് വയറുകളിലേക്കല്ല.
3. ഇൻസുലേഷൻ അളക്കുമ്പോൾ ശുദ്ധമായ പ്രതിരോധ മൂല്യം അളക്കാൻ മാത്രമല്ല, ആഗിരണ അനുപാതവും ധ്രുവീകരണ സൂചികയും അളക്കേണ്ടത് എന്തുകൊണ്ട്?കാര്യം എന്തണ്?
PI എന്നത് ധ്രുവീകരണ സൂചികയാണ്, ഇത് ഇൻസുലേഷൻ ടെസ്റ്റ് സമയത്ത് 10 മിനിറ്റിൻ്റെ ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധവും 1 മിനിറ്റിൻ്റെ ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധവും തമ്മിലുള്ള താരതമ്യത്തെ സൂചിപ്പിക്കുന്നു;
ഇൻസുലേഷൻ ടെസ്റ്റിനിടെ 1 മിനിറ്റിൻ്റെ ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധവും 15 സെക്കൻഡിൻ്റെ ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധവും തമ്മിലുള്ള താരതമ്യത്തെ സൂചിപ്പിക്കുന്ന ഡൈലെക്‌ട്രിക് അബ്സോർപ്ഷൻ റേഷ്യോയാണ് DAR;
ഇൻസുലേഷൻ ടെസ്റ്റിൽ, ഒരു നിശ്ചിത നിമിഷത്തിൽ ഇൻസുലേഷൻ റെസിസ്റ്റൻസ് മൂല്യം ടെസ്റ്റ് സാമ്പിളിൻ്റെ ഇൻസുലേഷൻ ഫംഗ്ഷനെ പൂർണ്ണമായി പ്രതിഫലിപ്പിക്കാൻ കഴിയില്ല.താഴെപ്പറയുന്ന രണ്ട് കാരണങ്ങളാണ് ഇതിന് കാരണം.ഒരു വശത്ത്, വോളിയം വലുതായിരിക്കുമ്പോൾ ഇൻസുലേഷൻ മെറ്റീരിയലിൻ്റെ അതേ പ്രവർത്തനത്തിൻ്റെ ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം ചെറുതാണ്., വോളിയം ചെറുതായിരിക്കുമ്പോൾ ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം ദൃശ്യമാകുന്നു.മറുവശത്ത്, ഇൻസുലേറ്റിംഗ് മെറ്റീരിയലിന് ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് പ്രയോഗിച്ചതിന് ശേഷമുള്ള ചാർജിൻ്റെ ആഗിരണ അനുപാതവും ധ്രുവീകരണ പ്രക്രിയയും ഉണ്ട്.അതിനാൽ, പവർ സിസ്റ്റത്തിന് ആഗിരണം അനുപാതം ആവശ്യമാണ് - R60s, R15s എന്നിവയുടെ അനുപാതം, കൂടാതെ ധ്രുവീകരണ സൂചിക - പ്രധാന ട്രാൻസ്ഫോർമറുകൾ, കേബിളുകൾ, മോട്ടോറുകൾ എന്നിവയുടെ ഇൻസുലേഷൻ ടെസ്റ്റിൽ R10min, R1min എന്നിവയുടെ അനുപാതം, കൂടാതെ ഇത് ഉപയോഗിക്കുക. ഇൻസുലേഷൻ നല്ലതോ ചീത്തയോ നിർണ്ണയിക്കുന്നതിനുള്ള ഡാറ്റ.
4. ഇലക്ട്രോണിക് ഇൻസുലേഷൻ റെസിസ്റ്റൻസ് ടെസ്റ്ററിന് നിരവധി ബാറ്ററികൾ പവർ ചെയ്യുമ്പോൾ ഉയർന്ന ഡിസി ഹൈ വോൾട്ടേജ് ഉത്പാദിപ്പിക്കാൻ കഴിയുന്നത് എന്തുകൊണ്ട്?ഇത് ഡിസി പരിവർത്തനത്തിൻ്റെ തത്വത്തെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ളതാണ്.ബൂസ്റ്റ് സർക്യൂട്ട് പ്രോസസ്സിംഗ് വഴി താഴ്ന്ന പവർ സപ്ലൈ വോൾട്ടേജ് ഉയർന്ന ഔട്ട്പുട്ട് ഡിസി വോൾട്ടേജിലേക്ക് ഉയർത്തുന്നു.ഉൽപ്പാദിപ്പിക്കുന്ന ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് കൂടുതലാണ്, എന്നാൽ ഔട്ട്പുട്ട് പവർ ചെറുതാണ് (കുറഞ്ഞ ഊർജ്ജവും ചെറിയ കറൻ്റും).
ശ്രദ്ധിക്കുക: പവർ വളരെ ചെറുതാണെങ്കിൽ പോലും, ടെസ്റ്റ് പ്രോബിൽ വ്യക്തിപരമായി സ്പർശിക്കാൻ ശുപാർശ ചെയ്യുന്നില്ല, അപ്പോഴും ഒരു ഇക്കിളി സംവേദനം ഉണ്ടാകും.
പോസ്റ്റ് സമയം: ഫെബ്രുവരി-06-2021
