insulation ခုခံ tester ၏မကြာခဏမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ, လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများနှင့်လိုင်းများသည်ပုံမှန်အခြေအနေတွင်မတော်တဆမှုများပြုလုပ်ရန်နှင့်လျှပ်စစ်မီးကဲ့သို့သောမတော်တဆမှုများကိုရှောင်ရှားရန်အတွက် insulator ဆိုင်ရာပစ္စည်းများနှင့် insulator များ, ထိခိုက်သေဆုံးမှုများနှင့်ပစ္စည်းကိရိယာများပျက်စီးခြင်း။

insulature resulter tester ၏ဘုံပြ problems နာများသည်အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည် -

1 ။ Capacitive load ခုခံအားကိုတိုင်းတာသောအခါ output circut-curratulation circuit charulity resultrance tescual trater နှင့်တိုင်းတာသောအချက်အလက်များအကြားဆက်နွယ်မှုကဘာလဲ,

insulation ခုခံအားစနစ်၏ output ကိုတိုတောင်းသော circuit current သည် high-voltage source ၏အတွင်းပိုင်းခုခံမှုကိုရောင်ပြန်ဟပ်နိုင်သည်။

အများအပြား insulatory test အရာဝတ်ထုများသည်ရှည်လျားသောကြိုးများ, ထရန်စဖော်မာများစသည်တို့ပါ 0 င်သောမော်တာများ, Capacitor သည်၎င်း၏အတွင်းခံနိုင်ရည်ဖြင့်ဖြတ်သန်းသွားလာပြီး output ကိုခံနိုင်ရည်မြင့်မားသော voltage tester ၏ output ကိုအဆင့်မြှင့်တင်ရန်ဗို့အားတဖြည်းဖြည်းအားသွင်းသည်။ အကယ်. တိုင်းတာသောအရာဝတ်ထုများ၏တန်ဖိုးတန်ဖိုးသည်ကြီးမားလျှင်သို့မဟုတ်မြင့်မားသောဗို့အားအရင်းအမြစ်ကိုခုခံနိုင်မှုသည်ကြီးမားသည်ဆိုပါကအားသွင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည်ကြာရှည်လိမ့်မည်။

၎င်း၏အရှည်ကို r နှင့် c ဝန် (စက္ကန့်အတွင်း) ၏ထုတ်ကုန်ကဆုံးဖြတ်နိုင်သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ t = r * c ဝန်

ထို့ကြောင့်စမ်းသပ်မှုကာလအတွင်း Capacitive ဝန်သည် Test Voltage သို့ငွေသွင်းရန်လိုအပ်သည်။ ငွေသွင်းခြင်း DV / DT သည် chere chere capacitance capacitance capacitance capio နှင့်ညီမျှသည်။

ထို့ကြောင့်အတွင်းခံနိုင်ရည်သည်အတွင်းခံနိုင်ရည်ရှိသည့်အရာမှာအားသွင်းရုံနှင့်ပိုမိုမြန်ဆန်လေလေစမ်းသပ်ရလဒ်မှာပိုမိုမြန်ဆန်သည်။

2 ။ "G" တူရိယာ၏အဆုံး၏ function ကဘာလဲ? မြင့်မားသောဗို့အားနှင့်ခုခံမြင့်မားခြင်းနှင့်မြင့်မားသောခုခံနိုင်မှုတွင်, တူရိယာသည် "G" terminal နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသနည်း။

တူရိယာ၏ "ဆ" ဆ "ဆ" ဆ Shielding terminal တစ်ခုဖြစ်ပြီး၎င်းသည်တိုင်းတာခြင်းရလဒ်များအပေါ်စမ်းသပ်မှုပတ်ဝန်းကျင်ရှိအစိုဓာတ်နှင့်ဖုန်မှုန့်များ၏လွှမ်းမိုးမှုကိုဖယ်ရှားရန်အသုံးပြုသည်။ တူရိယာ၏ "ဆ" ဆ "သည်စမ်းသပ်ထားသောအရာဝတ်ထုများ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ယိုစိမ့်မှု၏မျက်နှာပြင်ကိုကျော်လွှားရန်ဖြစ်သည်။ မြင့်မားသောခုခံတန်ဖိုးကိုစမ်းသပ်သောအခါ, G အဆုံးကိုအသုံးပြုရန်လိုအပ်သည်။

ယေဘုယျအားဖြင့်ပြောရလျှင် G-terminal သည် 10 ဂရမ်ထက်ပိုမိုမြင့်မားသောအခါထည့်သွင်းစဉ်းစားနိုင်သည်။ သို့သော်ဤခုခံအကွာအဝေးအကြွင်းမဲ့အာဏာဖြစ်ပါတယ်။ ၎င်းသည်သန့်ရှင်း။ ခြောက်သွေ့ပြီးတိုင်းတာရန်အရာဝတ်ထုသည်သေးငယ်သည်, ထို့ကြောင့် G-End တွင် 500 ဂရမ်ကိုတိုင်းတာခြင်းမရှိဘဲတည်ငြိမ်နိုင်သည်။ စိုစွတ်သောညစ်ပတ်နေသည့်ပတ် 0 န်းကျင်တွင်ခုခံမှုနိမ့်မှုသည်ဂရမ်အချိုလိုအပ်သည်။ အထူးသဖြင့်ရလဒ်သည်မြင့်မားမှုကိုတိုင်းတာသောအခါရလဒ်သည်တည်ငြိမ်ရန်ခက်ခဲကြောင်းတွေ့ရှိပါက G-terminal ကိုထည့်သွင်းစဉ်းစားနိုင်သည်။ ထို့အပြင်ဒိုင်းလွှားသည့် terminal g သည် Shielding Layer နှင့်ချိတ်ဆက်ထားခြင်းမဟုတ်ကြောင်းသတိပြုသင့်သည်မှာစမ်းသပ်မှုအောက်ရှိအခြားဝါယာကြိုးများနှင့်မပေါင်းသင်းမှုအကြားသို့မဟုတ် Multi Strand ဝါယာကြိုးများအကြားလျှပ်ကူးတဲနှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။

3 ။ စင်ကြယ်သောခံနိုင်ရည်ကိုသာတိုင်းတာရန်သာမက insulator ကိုတိုင်းတာသည့်အခါစုပ်ယူမှုအချိုးအစားနှင့် polarization ညွှန်းကိန်းကိုလည်းအဘယ်ကြောင့်လိုအပ်သနည်း။

Pi သည် insulation test စဉ်အတွင်း insulation test စဉ်အတွင်း insulation ခုခံအားစနစ်နှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင် insulation ခုခံအားကိုနှိုင်းယှဉ်ခြင်းကိုရည်ညွှန်းသည်။

DAR သည်တစ်မိနစ်အတွင်း insulator ခုခံအားကိုနှိုင်းယှဉ်ခြင်းနှင့် 15s ဖြင့်နှိုင်းယှဉ်ခြင်းကိုရည်ညွှန်းသည့် dielectric စုပ်ယူမှုအချိုးအစားဖြစ်သည်။

Insulatory Test တွင်အချို့သောအချိန်၌ insulation ခုခံတန်ဖိုးသည်စမ်းသပ်မှုအရာဝတ်ထု၏ insulation performance ၏အရည်အသွေးကိုအပြည့်အဝမထင်ဟပ်နိုင်ပါ။ ဤအချက်သည်အောက်ပါအကြောင်းပြချက်နှစ်ခုကြောင့်ဖြစ်သည်။ လက်တစ်ဖက်တွင်အသံပမာဏကြီးမားသည့်အခါစွမ်းဆောင်ရည်အလွယ်တကူကာကွယ်နိုင်သည့်ပစ္စည်းများကိုခုခံတွန်းလှန်ခြင်းသည်သေးငယ်သည်။ အခြားတစ်ဖက်တွင်မူ, Extrativer-sprivage ကိုအသုံးပြုသောအခါပစ္စည်းများအားလျှပ်စစ်ခွဲဝေမှုတွင်စုပ်ယူမှုနှင့် polarization လုပ်ငန်းစဉ်များတွင်တာဝန်ရှိသည်။ ထို့ကြောင့် Power System သည်စုပ်ယူမှုအချိုးအစား (R60s to r15s) နှင့် Polarization Index (R10)) နှင့် Polarization Index (R10min to r1min) နှင့် polarization index (r10min to r1min) ကိုတိုင်းတာရန်လိုအပ်သည်။ ဒီဒေတာ။

4 ။ အီလက်ထရွန်နစ်ထိုးသွင်းခံခံမှုစမ်းသပ်သူများကိုဘက်ထရီများစွာသည်အဘယ်ကြောင့်မြင့်မားသော DC voltage ကိုထုတ်လုပ်နိုင်သနည်း။ ၎င်းသည် DC ပြောင်းလဲခြင်း၏နိယာမအပေါ်အခြေခံသည်။ Boost circuit processing ပြီးနောက်, အောက်ပိုင်း supply voltage သည်ပိုမိုမြင့်မားသော output dc voltage သို့မြှောက်သည်။ ထုတ်ပေးသောမြင့်မားသောဗို့အားပိုမိုမြင့်မားသော်လည်း output power သည်သေးငယ်သည် (စွမ်းအင်နည်းပါးခြင်းနှင့်လက်ရှိ) ဖြစ်သည်။

မှတ်စု: အကယ်. ပါဝါသည်အလွန်သေးငယ်လျှင်ပင်စမ်းသပ်စစ်ဆေးမှုကိုမထိရန်အကြံပြုခြင်းမရှိပါ။